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参数资料
| 型号： | W964A6BBN70E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 3/29页 |
| 文件大小： | 954K |
| 代理商： | W964A6BBN70E |
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W964A6BBN
AC Characteristics, Continued
Write Operation
-70
-80
PARAMETER
SYMBOL
Min.
Max.
Min.
Max.
UNIT
NOTES
Write Cycle Time
tWC
70
-
80
-
nS
*1
Address Setup Time
tAS
0
-
0
-
nS
*2
Address Hold Time
tAH
35
-
40
-
nS
*2
CE1 Write Setup Time
tCS
0
1000
0
1000
nS
CE1 Write Hold Time
tCH
0
1000
0
1000
nS
WE
Setup Time
tWS
0
-
0
-
nS
WE
Hold Time
tWH
0
-
0
-
nS
LB
and UB Setup Time
tBS
-5
-
-5
-
nS
LB
and UB Hold Time
tBH
-5
-
-5
-
nS
OE
Setup Time
tOES
0
1000
0
1000
nS
*3
tOEH
30
1000
35
1000
nS
*3, *4
OE
Hold Time
tOEH[ABS]
12
-
15
-
nS
*5
OE
High to CE1 Low Setup Time
tOHCL
-5
-
-5
-
nS
*6
OE
High to Address Hold Time
tOHAH
-5
-
-5
-
nS
*7
CE1 Write Pulse Width
tCW
45
-
50
-
nS
*1, *8
WE
Write Pulse Width
TWP
45
-
50
-
nS
*1, *8
CE1 Write Recovery Time
tWRC
10
-
15
-
nS
*1, *9
WE
Write Recovery Time
tWR
10
1000
15
1000
nS
*1, *3, *9
Data Setup Time
tDS
15
-
20
-
nS
Data Hold Time
tDH
0
-
0
-
nS
CE1 High Pulse Width
tCP
12
-
15
-
nS
*9
Publication Release Date: March 20, 2003
- 11 -
Revision A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W964L6ABN70E | 1M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48 |
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| W971GG6JB-25A | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| W971GG8JB-25 | DDR DRAM, PBGA60 |
| W9725G8JB-25I | DDR DRAM, PBGA84 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W964B6BBN70E | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M WORD X 16BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W964B6BBN70O | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M WORD X 16BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W964B6BBN80 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M WORD X 16BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
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