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参数资料
| 型号： | W986416EH-7 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 36/48页 |
| 文件大小： | 1251K |
| 代理商： | W986416EH-7 |
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W986416EH/W9864G6EH
Publication ReleaseMay 5, 2005
- 41 -
Revision A07
Operating Timing Example, continued
11.18 Timing Chart of Write to Read Cycle
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
In the case of Burst Length = 4
Q0
Read
Q1
Q2
Q3
Read
Write
D0
D1
DQ
( a ) Command
( b ) Command
DQM
(2) CAS Latency = 3
Q0
Q1
Q2
Q3
D0
Read
Write
Read
Write
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
Q2
Q3
( a ) Command
DQ
DQM
( b ) Command
DQM
(1) CAS Latency = 2
D0
D1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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