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参数资料
| 型号： | WMS512K8BV-17E |
| 英文描述： | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8单片静态RAM（BiCMOS,存取时间17ns）) |
| 中文描述： | 512Kx8单片的SRAM（512Kx8单片静态随机存储器（BiCMOS工艺，存取时间17ns）） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | WMS512K8BV-17E |
4
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
WMS512K8BV-XXXE
WS32K32-XHX
TIMING WAVEFORM - READ CYCLE
WRITE CYCLE - CS CONTROLLED
WRITE CYCLE - WE CONTROLLED
ADDRESS
DATA I/O
WRITE CYCLE 1, WE CONTROLLED
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
t
DW
t
WHZ
t
AS
t
OW
t
DH
t
WC
DATA VALID
CS
WE
ADDRESS
DATA I/O
WRITE CYCLE 2, CS CONTROLLED
t
AW
t
AS
t
CW
t
AH
t
WP
t
DH
t
DW
t
WC
CS
WE
DATA VALID
ADDRESS
DATA I/O
READ CYCLE 2 (WE = V
IH
)
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
RC
DATA VALID
HIGH IMPEDANCE
CS
OE
t
CHZ
ADDRESS
DATA I/O
READ CYCLE 1 (CS = OE = V
IL
, WE = V
IH
)
t
AA
t
OH
t
RC
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
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PDF描述 |
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