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参数资料
| 型号： | WMS512K8BV-20E |
| 英文描述： | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8单片静态RAM（BiCMOS,存取时间20ns）) |
| 中文描述： | 512Kx8单片的SRAM（512Kx8单片静态随机存储器（BiCMOS工艺，存取时间为20ns）） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | WMS512K8BV-20E |
5
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
WMS512K8BV-XXXE
PACKAGE 100:
36 LEAD, CERAMIC SOJ
1.27 (0.050) TYP
23.37 (0.920)
±
0.25 (0.010)
PIN 1 IDENTIFIER
21.6 (0.850) TYP
11.3 (0.446)
±
0.2 (0.009)
4.7 (0.184) MAX
0.89 (0.035)
Radius TYP
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
ALL LINEAR DIMENSIONS ARE MILLIMETERS AND PARENTHETICALLY IN INCHES
ALL LINEAR DIMENSIONS ARE MILLIMETERS AND PARENTHETICALLY IN INCHES
PACKAGE 101:
32 LEAD, CERAMIC SOJ
1.27 (0.050) TYP
21.1 (0.830)
±
0.25 (0.010)
PIN 1 IDENTIFIER
19.1 (0.750) TYP
11.3 (0.446)
±
0.2 (0.009)
3.96 (0.156) MAX
0.2 (0.008)
±
0.05 (0.002)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
0.89 (0.035)
Radius TYP
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