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参数资料
| 型号： | WMS512K8BV-20E |
| 英文描述： | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8单片静态RAM（BiCMOS,存取时间20ns）) |
| 中文描述： | 512Kx8单片的SRAM（512Kx8单片静态随机存储器（BiCMOS工艺，存取时间为20ns）） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | WMS512K8BV-20E |
7
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
WMS512K8BV-XXXE
PACKAGE 300:
32 PIN, CERAMIC DIP, SINGLE CAVITY SIDE BRAZED
2.5 (0.100)
TYP
1.27 (0.050)
±
0.1 (0.005)
0.46 (0.018)
±
0.05 (0.002)
0.84 (0.033)
±
0.4 (0.014)
3.2 (0.125) MIN
15.04 (0.592)
±
0.3 (0.012)
0.25 (0.010)
±
0.05 (0.002)
15.25 (0.600)
±
0.25 (0.010)
42.4 (1.670)
±
0.4 (0.016)
4.34 (0.171)
±
0.79 (0.031)
PIN 1 IDENTIFIER
ALL LINEAR DIMENSIONS ARE MILLIMETERS AND PARENTHETICALLY IN INCHES
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| WMS512K8BV-20FEIE | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SRAM|512KX8|BICMOS-TTL|FP|32PIN|CERAMIC |
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