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参数资料
| 型号： | XC912DG128PV8 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封装： | TQFP-112 |
| 文件页数： | 17/428页 |
| 文件大小： | 3521K |
| 代理商： | XC912DG128PV8 |
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Flash EEPROM
Operation
MC68HC912DG128
MOTOROLA
Flash EEPROM
113
9-ash
Program/Erase Sequence — To begin a program or erase sequence
the external VFP voltage must be applied and stabilized. The ERAS bit
must be set or cleared, depending on whether a program sequence or
an erase sequence is to occur. The LAT bit will be set to cause any
subsequent data written to a valid address within the Flash EEPROM to
be latched into the programming address and data latches. The next
Flash array write cycle must be either to the location that is to be
programmed if a programming sequence is being performed, or, if
erasing, to any valid Flash EEPROM array location. Writing the new
address and data information to the Flash EEPROM is followed by
assertion of ENPE to turn on the program/erase voltage to
program/erase the new location(s). The LAT bit must be asserted and
the address and data latched to allow the setting of the ENPE control bit.
If the data and address have not been latched, an attempt to assert
ENPE will be ignored and ENPE will remain negated after the write cycle
to FEECTL is completed. The LAT bit must remain asserted and the
ERAS bit must remain in its current state as long as ENPE is asserted.
A write to the LAT bit to clear it while ENPE is set will be ignored. That
is, after the write cycle, LAT will remain asserted. Likewise, an attempt
to change the state of ERAS will be ignored and the state of the ERAS
bit will remain unchanged.
The programming software is responsible for all timing during a program
sequence. This includes the total number of program pulses (nPP), the
length of the program pulse (tPPULSE), the program margin pulses (pm)
and the delay between turning off the high voltage and verifying the
operation (tVPROG).
The erase software is responsible for all timing during an erase
sequence. This includes the total number of erase pulses (em), the
length of the erase pulse (tEPULSE), the erase margin pulse or pulses,
and the delay between turning off the high voltage and verifying the
operation (tVERASE).
Software also controls the supply of the proper program/erase voltage to
the VFP pin, and should be at the proper level before ENPE is set during
a program/erase sequence.
A program/erase cycle should not be in progress when starting another
program/erase, or while attempting to read from the array.
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PDF描述 |
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