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参数资料
| 型号： | XP151A11B0MR |
| 厂商： | Torex Semiconductor Ltd |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1A SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 500mA，10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
XP151A11B0MR-G
■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DC Characteristics
T a = 25 ℃
PARAMETER
Drain Cut-Off Current
Gate-Source Leak Current
Gate-Source Cut-Off Voltage
Drain-Source On-State Resistance *1
Forward Transfer Admittance *1
Body Drain Diode
Forward Voltage
SYMBOL
Idss
Igss
Vgs(off)
Rds(on)
| Yfs |
Vf
CONDITIONS
Vds= 30V, Vgs= 0V
Vgs= ± 20V, Vds= 0V
Id= 1mA, Vds= 10V
Id= 0.5A, Vgs= 10V
Id= 0.5A, Vgs= 4.5V
Id= 0.5A, Vds= 10V
If= 1A, Vgs= 0V
MIN.
-
-
1.0
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
0.09
0.13
2.4
0.8
MAX.
10
± 10
3.0
0.12
0.17
-
1.1
UNITS
μ A
μ A
V
Ω
Ω
S
V
*1 Effective during pulse test.
Dynamic Characteristics
T a = 25 ℃
PARAMETER
Input Capacitance
Output Capacitance
Feedback Capacitance
SYMBOL
Ciss
Coss
Crss
CONDITIONS
Vds= 10V, Vgs=0V
f=1MHz
MIN.
-
-
-
TYP.
150
90
30
MAX.
-
-
-
UNITS
pF
pF
pF
Switching Characteristics
T a = 25 ℃
PARAMETER
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
SYMBOL
td (on)
tr
td (off)
tf
CONDITIONS
Vgs= 5V, Id= 0.5A
Vdd= 10V
MIN.
-
-
-
-
TYP.
10
15
25
45
MAX.
-
-
-
-
UNITS
ns
ns
ns
ns
Thermal Characteristics
PARAMETER
Thermal Resistance
(Channel-Ambience)
SYMBOL
Rth (ch-a)
CONDITIONS
Implement on a ceramic PCB
MIN.
-
TYP.
250
MAX.
-
UNITS
℃ /W
2/5
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PDF描述 |
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| XP151A12A2MR_1 | 制造商:TOREX 制造商全称:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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