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参数资料
| 型号： | XP151A11B0MR |
| 厂商： | Torex Semiconductor Ltd |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1A SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 500mA，10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
XP151A11B0MR-G
■ TYPICAL PERFOMANCE CHARACTERISTICS
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| XP151A11B0MR_1 | 制造商:TOREX 制造商全称:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| XP151A11B0MR_12 | 制造商:TOREX 制造商全称:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| XP151A11B0MR-G | 制造商:Torex Semiconductor LTD 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A SOT23 |
| XP151A12A2MR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| XP151A12A2MR_1 | 制造商:TOREX 制造商全称:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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