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参数资料
| 型号： | YA852C15R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | YA852C15R |
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5
YA852C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
1
10
100
1000
10
100
1000
Surge Current Ratings (max.)
IF
S
M
P
ea
kH
A
lf
-
W
av
eC
u
rr
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n
t
(A
)
tTime (ms) Sinewave
10
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10
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10
1
Rth(j-c):2.0°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
Tr
an
si
en
tT
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rm
al
Im
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
t Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YA855C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YA858C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| YA862C12R | 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| YA855C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA858C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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