- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40857 > YA855C12R (FUJI ELECTRIC CO LTD) 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | YA855C12R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 645K |
| 代理商： | YA855C12R |
4
5
YA855C12R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
1
10
100
1000
10
100
1000
Surge Current Ratings (max.)
IF
SM
P
ea
kH
Al
f-W
av
eC
ur
re
nt
(A
)
tTime (ms) Sinewave
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Rth(j-c):1.75°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
Tr
an
si
en
tT
he
rm
al
Im
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
t Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YA858C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YA858C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YA862C10R | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA862C12R | 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA862C15R | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YA855C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA858C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YA862C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YA862C06R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。