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参数资料
| 型号： | YA869C15R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | YA869C15R |
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3
YA869C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
2
4
6
8
10
12
α
=180°
Reverse Power Dissipation (max.)
DC
P
R
Rev
er
se
P
ow
er
D
iss
ip
at
io
n
(W)
VR Reverse Voltage (V)
0
2
4
6
8
10
12
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16
18
20
22
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
Square wave λ=60°
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Per 1element
DC
Forward Power Dissipation (max.)
WF
For
w
ard
P
ow
er
D
iss
ip
at
io
n
(W
)
Io Average Output Current (A)
λ
360°
I0
α
360°
VR
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140 150 160
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Reverse Characteristic (typ.)
IR
R
ev
er
se
Cur
re
nt
(m
A
)
VR Reverse Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=150°C
Tj=125°C
Forward Characteristic (typ.)
IF
Fo
rward
Cur
re
nt
(A
)
VF Forward Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YA872C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA872C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA872C20R | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA875C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YA875C20R | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YA875C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
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| YA875C20R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
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