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参数资料
| 型号： | YG869C08R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 695K |
| 代理商： | YG869C08R |
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YG869C08R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
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8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
4
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12
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16
18
20
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24
26
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Per 1 element
DC
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
W
F
Fo
rw
ar
d
P
ow
er
D
is
si
pa
tio
n
(W
)
Io Average Output Current (A)
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
6
Reverse Power Dissipation (max.)
α
=180°C
DC
P
R
ev
er
se
P
ow
er
D
is
si
pa
tio
n
(W
)
VR Reverse Voltage (V)
λ
360°
I0
α
360°
VR
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
-1
10
0
10
1
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10
3
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4
10
5
10
6
Reverse Characteristic (typ.)
Tj= 25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=150°C
IR
R
ev
er
se
C
ur
re
nt
(u
A
)
VR Reverse Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Tj=125°C
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Forward Characteristic (typ.)
IF
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
nt
(A
)
VF Forward Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG869C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG869C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG872C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG869C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG869C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG869C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG875C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
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