- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40934 > YG869C15R (FUJI ELECTRIC CO LTD) 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | YG869C15R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 528K |
| 代理商： | YG869C15R |
4
5
YG869C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Surge Current Ratings (max.)
IF
SM
Pe
ak
H
Al
f-W
av
eC
ur
re
nt
(A
)
t Time (ms) Sinewave
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Rth(j-c):1.2°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
Tr
an
si
en
tT
he
rm
al
Im
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
t Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG872C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG878C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG878C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG875C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C20R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG878C10R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。