参数资料
型号: YG872C20R
厂商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分类: 整流器
英文描述: 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装: TO-220F, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 564K
代理商: YG872C20R
2
3
YG872C20R (200V, 10A)
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Junction Capacitance Characteristic (max.)
C
j
Ju
nc
tio
n
C
ap
a
ci
ta
nc
e
(p
F
)
VR Reverse Voltage (V)
360
I0
VR=100V
相关PDF资料
PDF描述
YG875C12R 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
YG881C02R 8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
YG885C02R 30 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
YG902C2R 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
YG902C3R 5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
YG875C10R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode
YG875C12R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode
YG875C15R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode
YG875C20R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode
YG878C10R 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode