| 型号: | Z135 |
| 厂商: | RECTRON LTD |
| 元件分类: | 齐纳二极管 |
| 英文描述: | 878A CALIBRATED BY NEWARK INONE SERVICES RoHS Compliant: NA |
| 中文描述: | 135 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 1/3页 |
| 文件大小: | 50K |
| 代理商: | Z135 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Z120 | Bench DC Power Supply; No. of Outputs:1; Output Voltage:32V; Output Current:3A; Series:9120; Features:Constant voltage & current, reverse polarity, thermal & short-circuit protection, current limiting RoHS Compliant: NA |
| Z110 | ADAPT FOR 844TSSOP TO 844 DIP |
| Z115 | Computers, Data logging Peripherals; |
| Z90 | ZENER SILICON RETIFIER |
| Z330 | 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Z135A-B | 功能描述:稳压二极管 1.0W 135V 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z135A-T | 功能描述:稳压二极管 1.0W 135V 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z135-B | 功能描述:稳压二极管 1.0W 135V 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z135-T | 功能描述:稳压二极管 1.0W 135V 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| Z1380 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON ZENER DIODES |