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参数资料
| 型号： | ZVN0124AM1 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 160 mA, 240 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | ZVN0124AM1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN3306DWP | 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ZVP0535DWP | 350 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ZVN4106FTC | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ZVP0120B | 250 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| ZVP1320FTC | 35 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN0124ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN0124ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN0124ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN0124B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 420MA I(D) | TO-39 |
| ZVN0124D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | CHIP |
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