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参数资料
| 型号： | ZVN2106GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 710mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVN2106GDKR |
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 – NOVEMBER 1995
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) =2 ?
ZVN2106G
D
S
COMPLEMENTARY TYPE -
PARTMARKING DETAIL -
ZVP2106G
ZVN2106
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
60
710
8
± 20
2.0
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS(th)
I GSS
I DSS
0.8
2.4
20
500
100
V
nA
nA
μ A
I D =1mA, V DS = V GS
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60 V, V GS =0
V DS =48 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current (1)
Static Drain-Source On-State
I D(on)
R DS(on)
2
2
A
?
V DS =18V, V GS =10V
V GS =10V,I D =1A
Resistance (1)
Forward Transconductance (1)(2)
Input Capacitance (2)
g fs
C iss
300
75
mS
pF
V DS =18V,I D =1A
Common Source Output
C oss
45
pF
V DS =18 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
ReverseTransfer Capacitance(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
C rss
t d(on)
20
7
pF
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
8
12
15
ns
ns
ns
V DD ≈ 18V, I D =1A
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
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