- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18782 > ZVN2106GTA (Diodes Inc)MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZVN2106GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 710mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVN2106GDKR |
ZVN2106G
TYPICAL CHARACTERISTICS
V DD =
4
V GS=
10V
16
14
I D= 3A
20V 30V 50V
9V
3
8V
7V
12
10
2
1
0
6V
5V
4V
3V
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
100
80
60
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
10
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
40
20
C iss
C oss
1
I D=
1A
0.5A
0.25A
C rss
0.1
0
10
20
30
40
50
1
10
20
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
2.4
0.7
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance v gate-source voltage
ra
ou
sis
on
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
D
in
-S
rc
e
Re
ta
n
)
S(
R D
ce
V GS= 10V
I D= 1A
0.6
0.5
0.4
0.3
V DS= 10V
1.0
V GS= V DS
0.2
0.8
0.6
Gate Thresh old
I D= 1mA
Voltage V GS (th)
0.1
0.4
-80 -60 -40 -20
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
0
1
2
3
4
5
T j -Junction Temperature (C°)
Normalised R DS(on) and V GS(th) v Temperature
3 - 386
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPG2024TQ-E1-A | IC SWITCH DPDT 5GHZ 10-TSON |
| UPG2024TQ-A | IC SWITCH DPDT 5GHZ 10-TSON |
| UPG2022TB-E4-A | IC SWITCH SPDT 6-SMINI |
| UPG2022T5G-E1-A | IC SWITCH SPDT 6-SON |
| UPG2022T5G-A | IC SWITCH SPDT 6-SON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN2106GTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVN2106G Series 60 V 2 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-223 |
| ZVN2106GTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2106L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 650MA I(D) | TO-220 |
| ZVN2106Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 610MA I(D) | SOT-89 |
| ZVN2110A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。