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参数资料
| 型号： | ZVN2110ASTOB |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN2110A
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.0
V GS=
10V
9V
2.0
V GS=
10V
9V
8V
1.6
8V
1.6
7V
6V
1.2
7V
6V
1.2
5V
0.8
5V
0.8
4V
0.4
4V
0.4
0
3V
0
3V
0
20
40
60
80
100
2
4
6
8
10
10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
2.8
2.4
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
8
6
2.0
1.6
V DS= 25V
V DS= 10V
4
2
I D=
1A
500mA
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
8
100mA
10
0
0
2
4
6
8
10
10
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
2.4
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
ou
ain
eR
sis
n)
DS
eR
5
I D =
1A
500mA
100mA
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
Dr
-S
rc
e
ta
nc V GS= 10V
(o
I D= 1 A
V GS= V DS
I D= 1mA
0.8
0.6
Gate Threshold Voltage V GS(TH)
1
1
10
100
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance v gate-source voltage
T j -Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) v Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN2110GTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| ZVN2120GTC | MOSFET N-CHAN 200V SOT223 |
| ZVN3306ASTOB | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN3306FTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| ZVN3310ASTOA | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN2110ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2110B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 850MA I(D) | TO-39 |
| ZVN2110C | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2110CSTOA | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN2110CSTOB | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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