- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录538 > ZVN3306FTC (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZVN3306FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 35pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 – JANUARY 1996
FEATURES
ZVN3306F
* R DS(on) = 5 ?
* 60 Volt V DS
COMPLEMENTARY TYPE -
PARTMARKING DETAIL -
ZVP3306F
MC
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
SOT23
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
60
150
3
± 20
330
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Breakdown Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
0.8
2.4
V
I D =1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
750
20
0.5
50
5
nA
μ A
μ A
mA
?
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60V, V GS =0V
V DS =48V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =18V, V GS =10V
V GS =10V, I D =500mA
Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
150
mS
V DS =18V, I D =500mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
35
pF
Common Source
C oss
25
pF
V DS =18V, V GS =0V, f=1MHz
Output Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
8
pF
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
3 typ
5
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
4 typ
4 typ
5 typ
7
6
8
ns
ns
ns
V DD ≈ 18V, I D =500mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
3 - 393
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN3310ASTOA | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| ZVN3310FTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| ZVN3320FTC | MOSFET N-CHAN 200V SOT23-3 |
| ZVN4106FTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| ZVN4206ASTOB | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN3310A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-39 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。