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参数资料
| 型号： | ZVN3320FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 200V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN3320F
ISSUE 3 – DECEMBER 1995
FEATURES
7
* 200 Volt V DS
* R DS(on) = 25 ?
D
S
G
PARTMARKING DETAIL – MU
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
SOT23
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
200
60
1
± 20
330
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
BV DSS
200
V
I D =1mA, V GS =0V
Breakdown Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
1.0
3.0
V
I D =1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
I GSS
I DSS
100
10
50
nA
μ A
μ A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =200V, V GS =0V
V DS =160V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
I D(on)
R DS(on)
250
25
mA
?
V DS =25V, V GS =10V
V GS =10V,I D =100mA
Resistance (1)
Forward Transconductance(1)
g fs
75
mS
V DS =25V,I D =100mA
(2)
Input Capacitance (2)
C iss
45
pF
Common Source
C oss
18
pF
V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz
Output Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
5
pF
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
5
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
7
6
6
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =100mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4106DA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVN4106DB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVN4106DC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVN4106F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 200mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes |
| ZVN4106FTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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