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参数资料
| 型号： | ZVN4206GTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206G
ISSUE 3 - JANUARY 1996
FEATURES
* Compact geometry
* Fast switching speeds
7
D
* No secondary breakdown and Excellent temperature stability
* High input impedance and low current drive
* Ease of parralleling
APPLICATIONS
* DC-DC converters
* Solenoid / relay drivers for automotive applications
* Stepper motor drivers and Print head drivers
G
D
S
PARTMARKING DETAIL -
ZVN4206
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
60
1
8
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
A
A
V
W
°C
3 - 401
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4206GVTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4210GTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| ZVN4306ASTZ | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN4306AVSTZ | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN4306GTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4206GV | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223 |
| ZVN4206GVTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206GVTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206NTA | 功能描述:MOSFET Dual 60V N Chl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206NTC | 功能描述:MOSFET Dual 60V N Chl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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