参数资料
型号: ZVN4206GVTC
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 60V SOT223
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1 欧姆 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 带卷 (TR)
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 - APRIL 1998
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) = 1 ?
* Repetitive avalanche rating
* No transient protection required
* Characterised for 5V logic drive
APPLICATIONS
* Automotive relay drivers
* Stepper motor driver
ZVN4206GV
D
S
D
G
PARTMARKING DETAIL -
ZVN4206V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb = 25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb = 25°C
Continuous Body Diode Current at T amb =
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
I SD
VALUE
60
1
8
± 20
2
600
UNIT
V
A
A
V
W
mA
25°C
Avalanche Current - Repetitive
Avalanche Energy - Repetitive
Operating and Storage Temperature Range
I AR
E AR
T j :T stg
600
15
-55 to +150
mA
mJ
°C
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PDF描述
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