参数资料
型号: ZVN4206GVTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 60V SOT223
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1 欧姆 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 带卷 (TR)
ZVN4206GV
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
900
800
700
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
V DS =
200
160
120
16
14
12
10
I D= 1.5A
20V 40V 60V
8
80
C iss
6
40
C oss
4
2
0
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
T j - Junction Temperature (°C)
Maximum repetative avalanche energy
v Junction Temperature
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
T j - Junction Temperature (°C)
Maximum repetative avalanche current
v Junction Temperature
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