- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录538 > ZVN4206GVTC (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 60V SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZVN4206GVTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN4206GV
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
V GS(th)
1.3
3
V
I D =1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current (1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward Transconductance
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
g fs
3
300
100
10
100
1
1.5
nA
μ A
μ A
A
?
?
mS
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60V, V GS =0V
V DS =48V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =25V, V GS =10V
V GS =10V, I D =1.5A
V GS =5V, I D =0.5A
V DS =25V,I D =1.5A
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
100
pF
Common Source Output
C oss
60
pF
V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
20
pF
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
8
ns
Rise Time (2)(3)
t r
12
ns
V DD ≈ 25V, I D =1.5A, V GEN
=10V
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t d(off)
t f
12
15
ns
ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4210GTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| ZVN4306ASTZ | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN4306AVSTZ | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN4306GTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4306GVTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4206NTA | 功能描述:MOSFET Dual 60V N Chl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206NTC | 功能描述:MOSFET Dual 60V N Chl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206V | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4206Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 900MA I(D) | SOT-89 |
| ZVN4210A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。