- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录538 > ZVN3306FTC (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZVN3306FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 35pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN3306F
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
180
160
140
50
40
120
V DS= 18V
30
C iss
100
80
60
40
20
10
20
0
0
C oss
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
V DD =20V 30V 50V
16
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
14
I D= 800mA
12
10
8
6
4
2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
3 - 395
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN3310ASTOA | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| ZVN3310FTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 |
| ZVN3320FTC | MOSFET N-CHAN 200V SOT23-3 |
| ZVN4106FTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| ZVN4206ASTOB | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN3310A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-39 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。