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参数资料
| 型号： | ZVN3306FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 35pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN3306F
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS= 10V 9V
1.0
8V
10
0.8
7V
8
0.6
6V
6
I D=
1A
0.4
5V
4
0.2
4V
2
0.5A
0
3V
0
0.25A
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
1.0
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
10
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
V DS= 10V
0.8
5
0.6
0.4
0.2
I D=
1A
0.5A
0.25A
0
0
2
4
6
8
10
1
1
10
20
2.4
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance vs gate-source voltage
ain
ist
es
ce
So
an
DS
n)
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Dr
-
I D=- 0.5A
R
ur
ce
R
(o
200
180
160
140
120
100
80
V DS= 18V
1.0
60
0.8
0.6
Gate Thresh old
Voltage V GS
(th)
40
20
0.4
-80 -60 -40 -20
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
0 0.1 0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7 0.8
0.9 1.0
T-Temperature (C°)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
3 - 394
I D(on) - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN3310ASTOA | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
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| ZVN4106FTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| ZVN4206ASTOB | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN3310A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN3310B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-39 |
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