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参数资料
| 型号： | ZVN4206ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN4206A
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
8
6
4
V GS=
20V
16V
14V
12V
10V
9V
8V
7V
10
8
6
4
V GS=
20V
16V
14V
12V
10V
9V
8V
7V
2
0
0
10
20
30
40
6V
5V
4.5V
4V
3.5V
50
2
0
2
4
6
8
6V
5V
4.5V
4V
3.5V
10
10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
6
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
8
6
4
I D=
4
2
V DS= 10V
2
3A
1.5A
0
0
2
4
6
8
10
0.5A
0
0
2
4
6
8
10
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
10
V GS =3.5V
4.5V
6V
8V 10V
2.6
2.4
2.2
V GS= 10V
I D= 1.5A
eR
ou
ain
eR
nc
sis
n)
1.0
14V
20V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
Dr
-S
rc
e
ta
DS
(o
V GS= V DS
I D= 1mA
0.8
Gate Threshold Voltage V GS(TH)
0.1
0.1
1.0
10
0.6
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175 200 225
I D- Drain Current (Amps)
On-resistance v drain current
T j -Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) v Temperature
3-382
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4206ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206AV | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206AV | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
| ZVN4206AVSTOA | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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