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参数资料
| 型号： | ZVN4206ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN4206A
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
900
800
700
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
V DS =
200
160
120
16
14
12
10
I D= 1.5A
20V 40V 60V
8
80
40
0
C iss
C oss
C rss
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-383
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KB25RKW01-5C-JC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
| 3386S-1-601 | TRIMMER 600 OHM 0.5W TH |
| BB26AH | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| 3006P-1-104ZLF | TRIMMER 100K OHM 0.75W TH |
| 96BB2-056-RS-EL | KEYPAD 16 BTN REAR PANEL MNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4206ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206AV | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206AV | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
| ZVN4206AVSTOA | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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