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参数资料
| 型号： | ZVN4306ASTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4306A
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = 25°C
Gate-Source Leakage
On-State Drain Current
BV DSS
I DSS
I GSS
I D(on)
60
-
-
12
-
-
-
-
-
1
20
±100
-
V
μA
nA
A
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 48V, V GS = 0V, T A = 125°C
V GS = ±20V, V DS = 0V
V GS = 10V, V DS = 10V
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS(th)
R DS (on)
g fs
1.3
-
700
-
0.22
0.32
-
3
0.33
0.45
-
V
Ω
mS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 3A
V GS = 5V, I D = 1.5A
V DS = 10V, I D = 3A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 4)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time (Note 5)
Turn-On Rise Time (Note 5)
Turn-Off Delay Time (Note 5)
Turn-Off Fall Time (Note 5)
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
350
140
30
8
25
30
16
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DD = 25V, I D = 3A, V GEM = 10V
Notes:
4. Measured under pulsed conditions. Width = 300μs. Duty cycle ≤ 2%
5. Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
ZVN4306A
Document number: DS33367 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4306AVSTZ | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN4306GTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4306GVTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4310ASTZ | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| ZVN4310GTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4306AV | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTOA | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTOB | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTZ | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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