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参数资料
| 型号： | ZVN4306ASTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带盒（TB） |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4306A
Electrical Characteristics
ZVN4306A
Document number: DS33367 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4306AVSTZ | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
| ZVN4306GTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4306GVTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZVN4310ASTZ | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| ZVN4310GTC | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4306AV | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTOA | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTOB | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AVSTZ | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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