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参数资料
| 型号： | ZVN4310ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt V DS
* R DS(on) = 0.5 ?
* Spice model available
ZVN4310A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Practical Continuous Drain Current at
SYMBOL
V DS
I D
I DP
VALUE
100
0.9
1
UNIT
V
A
A
T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Practical Power Dissipation at T amb =25°C*
Operating and Storage Temperature Range
I DM
V GS
P tot
P totp
T j :T stg
12
± 20
850
1.13
-55 to +150
A
V
mW
W
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a P.C.B.
with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
BV DSS
100
V
I D =1mA, V GS =0V
Breakdown Voltage
Gate-Source
V GS(th)
1
3
V
ID=1mA, V DS = V GS
Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
On-State Drain
I GSS
I DSS
I D(on)
9
20
10
100
nA
μ A
μ A
A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =100V, V GS =0
V DS =80V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =25 V, V GS =10V
Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance
R DS(on)
0.36
0.48
0.5
0.65
?
?
V GS =10V,I D =3A
V GS =5V, I D =1.5A
(1)
Forward
g fs
600
mS
V DS =25V,I D =3A
Transconductance
(1)(2)
3-393
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 84S-AC2-112-N | KEYPAD 12 BTN 3X4 SEALED |
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| 3006P-1-501ZLF | TRIMMER 500 OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4310ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4310ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ZVN4310G_12 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223 |
| ZVN4310GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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