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参数资料
| 型号： | ZVN4310ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVN4310A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Input Capacitance (2)
Common Source
SYMBOL MIN.
C iss
C oss
TYP.
MAX.
350
140
UNIT
pF
pF
CONDITIONS.
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Output Capacitance
(2)
Reverse Transfer
C rss
30
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time
t d(on)
8
ns
(2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time
t r
t d(off)
25
30
ns
ns
V DD ≈ 25V, V GEN =10V, I D =3A
R GS =50 ?
(2)(3)
Fall Time (2)(3)
t f
16
ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Thermal Resistance:Junction to Ambient
Junction to Case
1.0
SYMBOL
R th(j-amb)
R th(j-case)
150
t 1
D.C.
D=t 1 /t P
MAX.
150
50
UNIT
°C/W
°C/W
0.75
0.50
0.25
100
50
0
t P
D=0.6
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T -Temperature (°C)
Derating curve
3-394
Pulse Width (seconds)
Maximum transient thermal impedance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 84S-AC2-112-N | KEYPAD 12 BTN 3X4 SEALED |
| 3006P-1-504ZLF | TRIMMER 500K OHM 0.75W TH |
| 84S-AC1-113-N | KEYPAD 12 BTN 3X4 SEALED |
| MB2011SB1G01 | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| 3006P-1-501ZLF | TRIMMER 500 OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4310ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4310ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4310G | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVN4310G_12 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223 |
| ZVN4310GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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