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参数资料
| 型号： | ZVNL120A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 250mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 200 Volt V DS
* R DS(on) =10 ?
* Low threshold
ZVNL120A
APPLICATIONS
* Telephone handsets
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
200
180
2
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
200
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
0.5
1.5
V
ID=1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward Transconductance
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
g fs
500
200
100
10
100
10
10
nA
μ A
μ A
mA
?
?
mS
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =200 V, V GS =0
V DS =160 V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =25 V, V GS =5V
V GS =5V,I D =250mA
V GS =3V, I D =125mA
V DS =25V,I D =250mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
85
pF
Common Source Output
C oss
20
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
7
pF
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
8
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
8
20
12
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =250mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
3-401
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 72923-2 | SMD TEST PROBE SPRING MNTDED TIP |
| ZVN3310A | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 |
| X24-019PKC-U | MODEM RF 2.4GHZ 19.2KBPS USB |
| ZVNL110A | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 |
| X24-009PKC-U | MODEM RF 2.4GHZ 9600BPS USB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVNL120A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
| ZVNL120AM1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 180MA I(D) | SO |
| ZVNL120ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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