- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18771 > ZVNL120A (Diodes Inc)MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZVNL120A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 250mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
ZVNL120A
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS =
V GS =
1.6
1.4
10V
8V
6V
1.0
10V
8V
6V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
5V
4V
0.8
0.6
0.4
4V
3V
0.2
3V
0.2
0
2V
0
2V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
1.6
1.4
V DS=
40V
500
1.2
1.0
20V
10V
400
300
V DS= 25V
0.8
0.6
0.4
0.2
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
500
400
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
100
80
300
200
100
0
V DS= 25V
60
40
20
C iss
C oss
C rss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
10
20
30
40
50
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
3-402
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 72923-2 | SMD TEST PROBE SPRING MNTDED TIP |
| ZVN3310A | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 |
| X24-019PKC-U | MODEM RF 2.4GHZ 19.2KBPS USB |
| ZVNL110A | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 |
| X24-009PKC-U | MODEM RF 2.4GHZ 9600BPS USB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVNL120A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
| ZVNL120AM1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 180MA I(D) | SO |
| ZVNL120ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。