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参数资料
| 型号： | ZVP1320FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 200V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 欧姆 @ 50mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVP1320F
Maximum Ratings @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 5)
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I DM
Value
-200
±20
-35
-400
Unit
V
V
mA
mA
Thermal Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
(Note 4)
(Note 4)
P D
R θ JA
T J , T STG
350
357
-55 to +150
mW
°C/W
°C
Notes:
4. For a device mounted on 25mm X 25mm X 1.6mm FR-4 PCV with high coverage of single sided 1oz copper, in still air condition.
5. Device mounted on minimum recommended pad layout test board, 10 μ s pulse duty cycle = 1%.
ZVP1320F
Document number: DS33391 Rev. 4 - 2
2 of 8
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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