参数资料
型号: ZVP1320FTC
厂商: Diodes Inc
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CHAN 200V SOT23-3
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 欧姆 @ 50mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 330mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVP1320F
Package Outline Dimensions
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
B
0.37 0.51 0.40
1.20 1.40 1.30
H
B C
C
D
F
G
H
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
D
K1
M
J
K
K1
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
J
F
G
L
L
M
0.45 0.61 0.55
0.085 0.18 0.11
α
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
ZVP1320F
Document number: DS33391 Rev. 4 - 2
X
E
C
7 of 8
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
January 2012
? Diodes Incorporated
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