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参数资料
| 型号： | ZVP2106ASTOB |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP2106A
TYPICAL CHARACTERISTICS
300
300
250
250
V DS= -10V
200
150
100
50
0
V DS= -10V
200
150
100
50
0
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
100
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
0
-2
80
-4
-6
V DS =
-20V -30V -50V
60
40
20
0
C iss
C oss
C rss
-8
-10
-12
-14
-16
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-419
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP2106GTC | MOSFET P-CHAN 60V SOT223 |
| ZVP2110ASTOB | MOSFET P-CHAN 100V TO92-3 |
| ZVP2110GTC | MOSFET P-CHAN 100V SOT223 |
| ZVP2120ASTOB | MOSFET P-CHAN 200V TO92-3 |
| ZVP2120GTC | MOSFET P-CHAN 200V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2106ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2106B | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS FET |
| ZVP2106C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | TO-92 |
| ZVP2106D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVP2106E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | SOT-223 |
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