- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录359399 > ZVP2106D TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZVP2106D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）决策支持系统|芯片 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | ZVP2106D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN2120DC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN0124D | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| VN10LM | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS POWER FETS |
| VN10LM | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
| VN1110N1 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2106E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | SOT-223 |
| ZVP2106G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:P CH DMOS FET, -60V, 450mA, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:450mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3.5V ;RoHS Compliant: Yes |
| ZVP2106GTA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2106GTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVP2106G Series 60 V 5 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET -SOT-223 |
| ZVP2106GTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。