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参数资料
| 型号： | ZVP2106GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVP2106GDKR |
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 ? MARCH 96
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) =5 ?
ZVP2106G
D
PARTMARKING DETAIL: -
COMPLEMENTARY TYPE: -
ZVP2106
ZVN2106G
D
S
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-60
-450
-4
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
-60
V
I D =-1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V GS(th)
-1.5
-3.5
V
I D =-1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
I GSS
I DSS
I D(on)
-1
20
-0.5
-100
nA
μ A
μ A
A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-60 V, V GS =0
V DS =-48 V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =-18 V, V GS =-10V
Static Drain-Source On-State R DS(on)
Resistance (1)
5
?
V GS =-10V,I D =-500mA
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
g fs
C iss
150
100
mS
pF
V DS =-18V,I D =-500mA
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
60
20
7
15
12
15
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS =-18V, V GS =0V, f=1MHz
V DD ≈ -18V, I D =-500mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
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PDF描述 |
|---|---|
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| SI4738-C40-GM | IC RX FM/WB RADIO 20UQFN |
| AM1307K | SWITCH BASIC 15A PLUNG FLAT SCRW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2106GTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVP2106G Series 60 V 5 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET -SOT-223 |
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