参数资料
型号: ZVP2106GTA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 2/3页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
其它图纸: SOT-223
SOT-223 Footprint
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 450mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 100pF @ 18V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 标准包装
产品目录页面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZVP2106GDKR
ZVP2106G
TYPICAL CHARACTERISTICS
-3.5
V GS=
-2.0
-3.0
-2.5
-2.0
-20V
-18V -14V
-12V
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
V GS =
-10V
-9V
-1.5
-1.0
-10V
-9V
-8V
-7V
-1.0
-0.8
-0.6
-8V
-7V
-6V
-0.5
0
-6V
-5V
-4V
-0.4
-0.2
0
-5V
-4V
-3.5V
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
-2
-4
-6
-8
-10
-10
-8
-6
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
-0.8
V DS= -10V
-4
-2
I D=
-1A
-0.5A
-0.25A
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
-2
-4
-6
-8
-10
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
10
V GS =-5V
-6V
-7V -8V -9V -10V
2.6
2.4
So
an
ist
es
n)
DS
5
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Dr
ai
n-
ur
ce
R
ce
R
(o
V GS= -10V
I D=- 0.5A
1.0
0.8
Gate Thresh old
V GS= V DS
I D= -1mA
Voltage V GS (th )
1
-0.1
-1.0
-2.0
0.6
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
I D -Drain Current (Amps)
On-resistance v drain current
T j -Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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