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参数资料
| 型号： | ZVP2106GTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 60V SOT223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP2106G
TYPICAL CHARACTERISTICS
-3.5
V GS=
-2.0
-3.0
-2.5
-2.0
-20V
-18V -14V
-12V
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
V GS =
-10V
-9V
-1.5
-1.0
-10V
-9V
-8V
-7V
-1.0
-0.8
-0.6
-8V
-7V
-6V
-0.5
0
-6V
-5V
-4V
-0.4
-0.2
0
-5V
-4V
-3.5V
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
-2
-4
-6
-8
-10
-10
-8
-6
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
-0.8
V DS= -10V
-4
-2
I D=
-1A
-0.5A
-0.25A
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
-2
-4
-6
-8
-10
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
10
V GS =-5V
-6V
-7V -8V -9V -10V
2.6
2.4
So
an
ist
es
n)
DS
5
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Dr
ai
n-
ur
ce
R
ce
R
(o
V GS= -10V
I D=- 0.5A
1.0
0.8
Gate Thresh old
V GS= V DS
I D= -1mA
Voltage V GS (th )
1
-0.1
-1.0
-2.0
0.6
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
I D -Drain Current (Amps)
On-resistance v drain current
T j -Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP2110ASTOB | MOSFET P-CHAN 100V TO92-3 |
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| ZVP2120ASTOB | MOSFET P-CHAN 200V TO92-3 |
| ZVP2120GTC | MOSFET P-CHAN 200V SOT223 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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