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参数资料
| 型号： | ZVP2110ASTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 100V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP2110A
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
250
200
V DS= -10V
200
150
100
50
0
150
100
50
0
V DS= -10V
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
0
80
60
40
20
C iss
C oss
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
V DS =
-25V -50V -100V
I D=- 0.5A
0
C rss
-16
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-423
Q-Gate Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP2106ASTOA | MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 |
| 3386H-1-104T | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 37F3-BB2-AP2 | KEYPAD 4X4 MATRIX AL |
| ZVP2106AS | MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 |
| 3386H-1-103T | TRIMMER 10K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2110ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2110ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2110B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-39 |
| ZVP2110C | 制造商:Ferranti 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line |
| ZVP2110D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
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