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参数资料
| 型号： | ZVP2110GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 310mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVP2110GDKR |
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2110G
ISSUE 2 ? MARCH 94
FEATURES
7
* 100 Volt V DS
* R DS(on) =8 ?
COMPLEMENTARY TYPE ? ZVN2110G
PARTMARKING DETAIL ? ZVP2110
D
D
S
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-100
-310
-3
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
-100
V
I D =-1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V GS(th)
-1.5
-3.5
V
ID=-1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
I GSS
I DSS
I D(on)
-750
20
-1
-100
nA
μ A
μ A
mA
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-100 V, V GS =0
V DS =-80 V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =-25 V, V GS =-10V
Static Drain-Source On-State R DS(on)
Resistance (1)
8
?
V GS =-10V,I D =-375mA
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
g fs
C iss
125
100
mS
pF
V DS =-25V,I D =-375mA
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
35
10
7
15
12
15
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz
V DD ≈ -25V, I D =-375mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
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参数描述 |
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