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参数资料
| 型号： | ZVP2110GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 310mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVP2110GDKR |
ZVP2110G
TYPICAL CHARACTERISTICS
V =
-20V
-16V
-12V
V
-10V
-10V
-9V
-8V
-7V
-6V
-5V
-4.5V
-4V
-3.5V
V
-Gate Source Voltage (Volts)
V
- Drain Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
Saturation Characteristics
C
C
C
V =
-25V -50V -100V
I
0.5A
V
-Drain Source Voltage (Volts)
Q-Gate Charge (nC)
Capacitance v drain-source voltage
V =-4V
Gate charge v gate-source voltage
V -10V
I -0.375A
-5V
-7V
-10V
-20V
I Drain Current (mA)
On-resistance v drain current
V V
I -1mA
Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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