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参数资料
| 型号： | ZVP2120A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
ZVP2120A
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS=
-10V
-0.4
V GS =
-10V
-0.6
-8V
-7V
-0.3
-8V
-7V
-6V
-6V
-0.4
-5V
-0.2
-5V
-4.5V
-0.2
0
-4.5V
-4V
-3.5V
-0.1
0
-4V
-3.5V
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
-2
-4
-6
-8
-10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
I D=
-0.6
-0.4
V DS=
-25V
-10V
-6
-4
-2
- 300mA
-200mA
-100mA
-0.2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50mA
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
100
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
2.6
2.4
2.2
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
eR
ou
ain
sis
n)
DS
eR
50
I D=
-300mA
-200mA
-I00mA
-50mA
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
Dr
-S
rc
e
ta
nc
(o
V GS= -10V
I D=- 0.1A
V GS= V DS
I D= -1mA
0.8
Gate Thresh old
Voltage V GS (th )
10
-1
-10
-20
0.6
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance vs gate-source voltage
T-Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3F11A2208AT3A | CAP FEEDTHRU 22PF 100V NP0 1206 |
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| MB2011SS2G30-BC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2120AM1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 120MA I(D) | SO |
| ZVP2120ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2120ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2120ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP2120B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-39 |
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