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参数资料
| 型号： | ZVP2120A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
ZVP2120A
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
180
200
180
160
140
V DS= -25V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
V DS= -25V
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
0
100
-2
I D=- 0.4A
80
60
40
C iss
-4
-6
-8
-10
V DS =
-50V -100V -180V
-12
20
C oss
C rss
-14
-16
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3-427
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3F11A2208AT3A | CAP FEEDTHRU 22PF 100V NP0 1206 |
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| W3F11A1018AT3A | CAP FEEDTHRU 100PF 100V NP0 1206 |
| MB2011SS2G30-BC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZVP2120B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-39 |
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