- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19010 > ZVP2120ASTZ (Diodes Inc)MOSFET P-CHAN 200V TO92-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZVP2120ASTZ |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 200V TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1475 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZVP2120ASCT |
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 ? MARCH 94
FEATURES
* 200 Volt V DS
* R DS(on) =25 ?
ZVP2120A
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E-Line
TO92 Compatible
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-200
-120
-1.2
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
-200
V
I D =-1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V GS(th)
-1.5
-3.5
V
ID=-1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance (1)
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-300
50
20
-10
-100
25
100
25
7
7
15
12
15
nA
μ A
μ A
mA
?
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-200 V, V GS =0
V DS =-160 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
V DS =-25 V, V GS =-10V
V GS =-10V,I D =-150mA
V DS =-25V,I D =-150mA
V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz
V DD ≈ -25V, I D =-150mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
3-425
(
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM2840L | LAMP T-1.5 TELE SLIDE 28V .04A |
| KC5032C100.000C30E00 | OSCILLATOR 100.000MHZ 3.3V SMD |
| SM2450L | LAMP T-1.5 TELE SLIDE 24V .05A |
| SM12100L | LAMP T-1.5 TELE SLIDE 12V .10A |
| D2HW-C283MR | SWITCH SPDT-NO 2A LEVER STR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP2120B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-39 |
| ZVP2120C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Obsolete - alternative part: ZVP2120A |
| ZVP2120D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVP2120G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-223 |
| ZVP2120GTA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。