参数资料
型号: ZVP2120ASTZ
厂商: Diodes Inc
文件页数: 2/3页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CHAN 200V TO92-3
其它图纸: TO-92
TO-92 Pin Out
TO-92 Front
TO-92 Side
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 欧姆 @ 150mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 剪切带 (CT)
产品目录页面: 1475 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZVP2120ASCT
ZVP2120A
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS=
-10V
-0.4
V GS =
-10V
-0.6
-8V
-7V
-0.3
-8V
-7V
-6V
-6V
-0.4
-5V
-0.2
-5V
-4.5V
-0.2
0
-4.5V
-4V
-3.5V
-0.1
0
-4V
-3.5V
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
-2
-4
-6
-8
-10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
I D=
-0.6
-0.4
V DS=
-25V
-10V
-6
-4
-2
- 300mA
-200mA
-100mA
-0.2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50mA
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
100
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
2.6
2.4
2.2
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
eR
ou
ain
sis
n)
DS
eR
50
I D=
-300mA
-200mA
-I00mA
-50mA
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
Dr
-S
rc
e
ta
nc
(o
V GS= -10V
I D=- 0.1A
V GS= V DS
I D= -1mA
0.8
Gate Thresh old
Voltage V GS (th )
10
-1
-10
-20
0.6
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance vs gate-source voltage
T-Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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ZVP2120C 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Obsolete - alternative part: ZVP2120A
ZVP2120D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP
ZVP2120G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-223
ZVP2120GTA 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube