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参数资料
| 型号： | ZVP3306FTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 60V SOT23-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 18V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP3306F
TYPICAL CHARACTERISTICS
V =
-16V
I
-400mA
-200mA
-100mA
-14V
-12V
-10V
-9V
-8V
-7V
-6V
-5V
-4.5V
V
Gate Source Voltage (Volts)
V
- Drain Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
Saturation Characteristics
Note:V
0V
Note:I
0.2A
f=1MHz
C
C
C
V =
-20V -40V -60V
V
-Drain Source Voltage (Volts)
Q-Gate Charge (nC)
Capacitance v drain-source voltage
Gate charge v gate-source voltage
V =-5V
-6V
-7V
V -10V
I 0.37A
-10V
-15V
-20V
I Drain Current (mA)
On-resistance vs Drain Current
V V
I -1mA
Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) vs Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP3310ASTZ | MOSFET P-CHAN 100V TO92-3 |
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| ZVP4424ASTOB | MOSFET P-CHAN 240V TO92-3 |
| ZVP4424GTC | MOSFET P-CHAN 240V SOT223 |
| ZVP4424ZTA | MOSFET P-CHAN 240V SOT89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZVP3310ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP3310ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP3310ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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